半導體晶圓的製造及步驟

半導體晶圓的製造有以下步驟:

長晶（jīng）棒分為直拉法(CZ)和區熔法(FZ)。由於熔融多晶材料會（huì）直接接觸應時坩堝，應時坩堝中的雜質會汙染熔融多晶。直拉（lā）法單晶碳氧含量高，雜質缺陷（xiàn）多，但成本低，適合（hé）拉伸大直徑(300mm)的矽（guī）片，是目前主要的半導體矽片材（cái）料。區域熔融法拉製的單晶，由於（yú）多晶原料不與石英坩堝接觸，內部缺陷少，碳（tàn）氧含量低（dī），但價格昂貴，成本高，適用於大功率設備及（jí）某些高端產品。

半導體設備耗（hào）材

2)切片。拉出的單晶矽棒需要去除頭部和尾部材料，然後滾磨成所需的（de）直徑，切成（chéng）平邊或V槽，然後切成薄矽片。現采（cǎi）用金（jīn）剛線切割技術（shù），效率高，矽片翹曲度高，彎曲度好。一些特殊的異形片會用內圓切割（gē）。

3)研磨：切片後需要（yào）通過（guò）研磨除去損壞的切麵層，保證矽片表麵質量，大概去除50um左右。

4)腐蝕：腐蝕是為了進（jìn）一步除去因切割和（hé）研磨引起的破壞層，為下一（yī）步的拋光工藝作準備。腐蝕通常有鹼腐蝕和酸腐蝕，目前由於環保因素，大多數都采用（yòng）鹼（jiǎn）腐蝕。腐蝕性去除量可達30-40um，表麵粗糙（cāo）度也可達微米級。

5)拋光：拋光是矽片（piàn）生產的一種重要工（gōng）藝，拋光是通（tōng）過CMP(ChemicalMechanicalPolished)技術來進一步改善矽片的表麵（miàn）質量，使之達到通常Ra<5A的生產要求。

6)清洗包裝：由於集成電路的線寬越來越小，所以對提高粒度指（zhǐ）標的要求也越來越高，清（qīng）洗包（bāo）裝也是矽片生產中的（de）一道重要工藝，通過（guò）微波微波清洗，可以洗淨附著在矽片表麵的微粒，達到（dào）微晶片表（biǎo）麵要求的微粒度指標，從而使矽片表麵清潔度達到集成電路的要求。

目前的半導體材料都是單（dān）晶矽來製作，半（bàn）導體晶圓的純度要（yào）求是要達9N以上（99.9999999%），區熔單晶矽Z高可達到11N（99.999999999%）。通常采用直拉法(CZ)和區熔法(FZ)長晶，其晶向由晶種決定。半（bàn）導體的材料主要是單（dān）晶矽，占據半導體材料市場的90%以上，是集成電路的基礎材料。

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